特許
J-GLOBAL ID：200903017191344826
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-184851
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031842
出願日： 1997年07月10日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：
【要約】【課題】 絶縁基板上にチッ化ガリウム系化合物半導体が積層される半導体発光素子においても、n形層3とn側電極9とのオーミックコンタクト特性を向上させて順方向電圧を低下させ、発光効率が高い半導体発光素子を提供する。【解決手段】 基板1と、該基板上に発光層を形成すべくn形層3およびp形層5を含むチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層される半導体積層部10と、該半導体積層部のn形層およびp形層にそれぞれ電気的に接続して設けられるn側電極9およびp側電極8とを有し、前記n形層3は、前記n側電極が設けられる部分のキャリア濃度が前記発光層に接する部分のキャリア濃度より大きくなるように、少なくともn形第1層3aとn+ 形第2層3bとを有している。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に発光層を形成すべくn形層およびp形層を含むチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層される半導体積層部と、該半導体積層部のn形層およびp形層にそれぞれ電気的に接続して設けられるn側電極およびp側電極とを有し、前記n形層は、前記n側電極が設けられる部分のキャリア濃度が前記発光層に接する部分のキャリア濃度より大きくなるように形成されてなる半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00
, H01L 21/28 301
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
, H01L 21/28 301 B
