基板処理方法および膜形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人アイ・ピー・エス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-067667
公開番号（公開出願番号）：特開2009-158968
出願日： 2009年03月19日
公開日（公表日）： 2009年07月16日
要約：

【課題】基板に形成する膜の厚さの均一性を制御する。【解決手段】処理室で基板を処理する基板処理方法であって、基板を処理室へ収容する工程と、加熱装置の設定温度と、冷却装置が供給する流体の流量と、前記処理室内に収容された基板の中心側の温度と該基板の外周側との温度偏差との相関関係に基づいて、補正された前記設定温度にて前記加熱装置が前記処理室内に収容された基板の外周側から光加熱しつつ前記冷却装置が前記処理室の外側に流体を前記相関関係に基づいた流量で供給して基板の外周側を冷却した状態で、前記処理室で前記基板を処理する工程とを有する基板処理方法。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

処理室で基板を処理する基板処理方法であって、基板を処理室へ収容する工程と、加熱装置の設定温度と、冷却装置が供給する流体の流量と、前記処理室内に収容された基板の中心側の温度と該基板の外周側との温度偏差との相関関係に基づいて、補正された前記設定温度にて前記加熱装置が前記処理室内に収容された基板の外周側から光加熱しつつ前記冷却装置が前記処理室の外側に流体を前記相関関係に基づいた流量で供給して基板の外周側を冷却した状態で、前記処理室で前記基板を処理する工程とを有する基板処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/46

FI (2件)：

H01L21/205 , C23C16/46

Fターム (26件)：

4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030BA40 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030KA04 , 4K030KA23 , 4K030KA26 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F045AA06 , 5F045AB03 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045BB02 , 5F045DP19 , 5F045DQ04 , 5F045EJ04 , 5F045EJ10 , 5F045EK22 , 5F045EK30 , 5F045GB05 , 5F045GB09 , 5F045GB13 , 5F045GB16

引用特許：

出願人引用 (5件)

熱処理装置および熱処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-220125 出願人：シャープ株式会社
熱処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-040577 出願人：東京エレクトロン株式会社
熱処理炉
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-245647 出願人：セミックスエンジニアリング株式会社, 大同ほくさん株式会社

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審査官引用 (5件)

熱処理装置および熱処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-220125 出願人：シャープ株式会社
熱処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-040577 出願人：東京エレクトロン株式会社
熱処理炉
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-245647 出願人：セミックスエンジニアリング株式会社, 大同ほくさん株式会社

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