特許
J-GLOBAL ID：200903026996927525

薄膜形成方法及び薄膜形成装置

発明者：
鈴木 啓介

鈴木 啓介 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 木村 満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-025170
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231716
出願日： 2001年02月01日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：
【要約】【課題】 被処理体に均一な膜厚の薄膜を形成することができる薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供する。【解決手段】 熱処理装置1は、半導体ウエハ10を収容する反応管2と、反応管2を加熱する昇温用ヒータ11と、処理ガスを供給するガス導入管12と、これらを制御する制御部19とを備えている。そして、制御部19は昇温用ヒータ11に反応管2を加熱させるとともに、ガス導入管12に半導体ウエハ10の周縁部を冷却可能な流量で、反応管2内に処理ガスを供給させる。
請求項（抜粋）：
被処理体を反応室内に収容し、該反応室内を所定の圧力に減圧する減圧工程と、前記被処理体を所定の温度に昇温する昇温工程と、前記反応室内に熱処理用ガスを供給して、前記被処理体に薄膜を形成する熱処理工程とを備え、前記昇温工程中に、前記被処理体の周縁部を冷却可能な流量で、前記反応室内に前記熱処理用ガスを含む処理ガスを供給する、ことを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/31
FI (2件)：
H01L 21/316 S ,  H01L 21/31 E
Fターム (16件)：
5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AD12 ,  5F045BB02 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EJ02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF55 ,  5F058BF60 ,  5F058BF62 ,  5F058BG10 ,  5F058BJ01
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (5件)
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