窒化物半導体の結晶成長方法及び半導体素子の形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-113713
公開番号（公開出願番号）：特開2002-313733
出願日： 2001年04月12日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】転位密度を低減して、形成する半導体デバイスの性能や寿命を向上させるような窒化物半導体の結晶成長方法を提供する。【解決手段】気相成長によって基体上に複数の窒化物半導体の島状結晶領域を形成させる第1の結晶成長工程と、前記島状結晶領域の境界同士を結合させながら前記島状結晶領域を更に成長させる第2の結晶成長工程を有する窒化物半導体の結晶成長方法において、第2の結晶成長工程の結晶成長速度を第1の結晶成長工程の結晶成長速度より高く設定し、或いは第2の結晶成長工程の結晶成長温度を第1の結晶成長工程の結晶成長温度より低く設定する。転位が境界の結合部分で曲げられ、転位密度を下げることができる。

請求項（抜粋）：

気相成長によって基体上に複数の窒化物半導体の島状結晶領域を形成させる第1の結晶成長工程と、前記島状結晶領域の境界同士を結合させながら前記島状結晶領域を更に成長させる第2の結晶成長工程を有し、前記第2の結晶成長工程の結晶成長速度は前記第1の結晶成長工程の結晶成長速度より高くされることを特徴とする窒化物半導体の結晶成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , H01L 33/00 , H01S 5/323 610

FI (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , H01L 33/00 C , H01S 5/323 610

Fターム (42件)：

4K030AA06 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA38 , 4K030BB12 , 4K030BB14 , 4K030CA05 , 4K030DA03 , 4K030DA04 , 4K030DA05 , 4K030FA10 , 4K030JA10 , 4K030JA12 , 4K030LA14 , 5F041AA40 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA67 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD14 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045AF07 , 5F045BB12 , 5F045CA11 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA63 , 5F073CA02 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073DA05 , 5F073DA07 , 5F073DA35 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (6件)

窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-080288 出願人：日亜化学工業株式会社
半導体層の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-279557 出願人：理化学研究所
III族窒化物緩衝層を有するIII族窒化物エピタキシャル層の一段ペンデオエピタキシャルオーバーグロース及び一段横方向エピタキシャルオーバーグロース
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-530903 出願人：クリーインコーポレイテッド

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