特許
J-GLOBAL ID：200903050471551158

ハーフトーン型位相シフトマスクブランクス及びその製造方法、ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法、ハーフトーン型位相シフトマスクを用いたレジストパターン形成方法、並びに半導体装置の製造方法。

発明者：
松尾 隆弘

松尾 隆弘 について

, 
小野寺 俊雄

小野寺 俊雄 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体先端テクノロジーズ

株式会社半導体先端テクノロジーズ について


代理人 (1件)： 高田 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-273999
公開番号（公開出願番号）：特開2002-082423
出願日： 2000年09月08日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：
【要約】【課題】 短波長の露光光に対する透明性及び耐照射性の優れたハーフトーン型位相シフトマスクブランクス、及びハーフトーン型位相シフトマスクを提供する。【解決手段】 透明基板101上に、所定の濃度の水素原子を含有するアモルファス誘電体膜102を形成することによってハーフトーン型位相シフトマスクブランクス11を製造する。透明基板101とアモルファス誘電体膜102との間に金属膜103を介在させることにより、露光光の透過率を所望の値に調整する。アモルファス誘電体膜102及び金属膜103をパターン化することにより、ハーフトーン型位相シフトマスクを製造する。
請求項（抜粋）：
透明基板と、前記透明基板の一面上に形成され、所定の濃度の水素原子を含有するアモルファス誘電体膜と、を備えることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランクス。
IPC (5件)：
G03F 1/08 ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027
FI (7件)：
G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 G ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528
Fターム (16件)：
2H095BA07 ,  2H095BB03 ,  2H095BB10 ,  2H095BB31 ,  2H095BC01 ,  2H095BC08 ,  2H095BC24 ,  2H097CA13 ,  2H097CA16 ,  2H097FA01 ,  2H097JA02 ,  2H097LA10 ,  5F046BA08 ,  5F046CA03 ,  5F046CA04 ,  5F046CB17
引用特許：
審査官引用 (7件)
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