特許
J-GLOBAL ID：200903050493263407

カーボンナノチューブ形成装置及び方法

発明者：
佐藤 信太郎

佐藤 信太郎 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-350091
公開番号（公開出願番号）：特開2006-117527
出願日： 2005年12月05日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：
【課題】清浄で、パーティクルの堆積状態及び基板の表面状態が制御された状況下においてカーボンナノチューブの成長を実行し、カーボンナノチューブの成長制御やその電気的応用を容易にする。【解決手段】形成装置は、触媒となるパーティクルを生成する発生手段21と、生成されたパーティクルを所望の粒径に分級する分級器22と、パーティクルを基板20上に堆積させるチャンバー23と、堆積したパーティクルを触媒としてカーボンナノチューブを生成するチャンバー24とを含み、パーティクルの生成からカーボンナノチューブの生成までの一連のプロセスを外気から遮断された所定雰囲気の環境内で連続して実行する。【選択図】図10
請求項（抜粋）：
触媒微粒子を生成するステップと、 生成された触媒微粒子を基板上に堆積させるステップと、 堆積した前記触媒微粒子を触媒としてカーボンナノチューブを生成するステップと を含み、 一連の前記各ステップを、外気から遮断された所定雰囲気の環境内で連続して実行することを特徴とするカーボンナノチューブの形成方法。
IPC (5件)：
C01B 31/02 ,  C23C 14/00 ,  C23C 14/48 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285
FI (5件)：
C01B31/02 101F ,  C23C14/00 A ,  C23C14/48 Z ,  H01L21/28 301Z ,  H01L21/285 C
Fターム (19件)：
4G146AA11 ,  4G146AB06 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC33B ,  4G146BC42 ,  4G146DA03 ,  4K029BA12 ,  4K029BB03 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029CA10 ,  4K029DB20 ,  4M104BB36 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45
引用特許：
出願人引用 (9件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM