特許
J-GLOBAL ID：200903050514543669

ダイヤモンド製造方法

発明者：
山田 英明

山田 英明 について

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茶谷原 昭義

茶谷原 昭義 について

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杢野 由明

杢野 由明 について

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堀野 裕治

堀野 裕治 について

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鹿田 真一

鹿田 真一 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-012175
公開番号（公開出願番号）：特開2007-191362
出願日： 2006年01月20日
公開日（公表日）： 2007年08月02日
要約：
【課題】マイクロ波プラズマCVD法によってダイヤモンド単結晶を成長させる際に、ダイヤモンドの成長面の形状(モフォロジー)を簡単に制御できる方法を提供する。【解決手段】マイクロ波プラズマCVD法によって、ダイヤモンド基板上にダイヤモンド結晶を成長させる方法において、 CVD装置内に設置する基板支持体として、基板載置部が凹部によって形成され、凹部の深さがダイヤモンド基板の厚さと同一又はダイヤモンド基板の厚さ以下である支持体を用い、 該基板載置部におけるダイヤモンド基板の載置位置を調整することによって、ダイヤモンドの成長面の形状を制御するダイヤモンド製造方法、並びに、使用するダイヤモンド基板の形状に応じて形成された基板載置部を有する基板支持体。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
マイクロ波プラズマCVD法によって、ダイヤモンド基板上にダイヤモンド結晶を成長させる方法において、 CVD装置内に設置する基板支持体として、基板載置部が凹部によって形成されている支持体を用い、 該基板載置部におけるダイヤモンド基板の載置位置を調整することによって、ダイヤモンドの成長面の形状を制御するダイヤモンド製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/04 ,  C23C 16/27
FI (2件)：
C30B29/04 E ,  C23C16/27
Fターム (24件)：
4G077AA02 ,  4G077BA03 ,  4G077DB19 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EG03 ,  4G077EH01 ,  4G077TA04 ,  4G077TA12 ,  4G077TF02 ,  4G077TJ02 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA27 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA17 ,  4K030FA01 ,  4K030GA02 ,  4K030JA02 ,  4K030JA03
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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