特許
J-GLOBAL ID：200903050596820932
容量式力学量センサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
碓氷 裕彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-371785
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176182
出願日： 2000年12月06日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：
【要約】【目的】 SOI基板を用いた容量式力学量センサにおいて、ノッチ現象の発生を防止した製造方法を提供することにある。【構成】 幅の広い開口部12の下部の埋め込み酸化膜7が露出するまで、側壁角度を垂直に制御するエッチング条件で、第2の半導体層8bをエッチングして溝を形成する第1エッチング工程を行い、その後、全ての開口部の下部の埋め込み酸化膜7が露出するまで、ノッチ現象を抑制するエッチング条件で、第2の半導体層8bをエッチングして溝を形成する第2エッチング工程を行うことにより、側壁角度が垂直であるとともに、ノッチ現象が発生しない溝を形成することができる。
請求項（抜粋）：
絶縁層で分離された複数の半導体層を有する半導体基板の表面に幅の異なる複数の開口部を有するマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、前記マスクパターンのうち、最も幅の広い前記開口部の下部の前記絶縁層が露出するまで前記半導体層をエッチングして溝を形成する第1エッチング工程と、前記第1エッチング工程後に全ての開口部の下部の前記絶縁層が露出するまで前記半導体層をエッチングして溝を形成する第2エッチング工程とを備えることを特徴とする容量式力学量センサの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 29/84
, G01P 9/04
, G01P 15/125
, H01L 21/3065
, G01C 19/56
H01L 29/84 Z
, G01P 9/04
, G01P 15/125
, G01C 19/56
, H01L 21/302 J
2F105AA02
, 2F105BB20
, 2F105CC04
, 2F105CD03
, 2F105CD05
, 4M112AA02
, 4M112BA07
, 4M112CA26
, 4M112DA03
, 5F004AA05
, 5F004CA02
, 5F004CA03
, 5F004CB09
, 5F004DA00
, 5F004DA18
, 5F004DB01
, 5F004EA13
, 5F004EA28
