特許
J-GLOBAL ID:200903050604142990

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-075374
公開番号(公開出願番号):特開2004-002724
出願日: 2003年03月19日
公開日(公表日): 2004年01月08日
要約:
【解決手段】式(1)で表される官能基を有する繰り返し単位を含む重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。 (R1はCH2、O、S、又はSO2である。R2〜R5はH、F、アルキル基又はフッ素化されたアルキル基、-R6-SO3R7、又は-R6-SO2R7である。R2〜R5のうち少なくとも一つは-R6-SO3R7又は-R6-SO2R7を含む。R6は単結合、又はアルキレン基又はフッ素化されたアルキレン基である。R7はF、又は水酸基等の親水性基を含んでもよいフッ素化されたアルキル基である。aは0又は1である。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下の波長における透明性を損なうことなく、アルカリ溶解性コントラストと優れたプラズマエッチング耐性を有することがわかった。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で表される官能基を有する繰り返し単位を含むことを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。
IPC (5件):
C08F220/38 ,  C08F212/14 ,  C08F232/04 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (5件):
C08F220/38 ,  C08F212/14 ,  C08F232/04 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (40件):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CB55 ,  2H025CB56 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07Q ,  4J100AL24R ,  4J100AL26P ,  4J100AL26R ,  4J100AR11P ,  4J100AR11Q ,  4J100AR32P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA57P ,  4J100BA58P ,  4J100BB18P ,  4J100BB18Q ,  4J100BC08P ,  4J100BC09P ,  4J100BC09R ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100JA38
引用特許:
審査官引用 (6件)
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