プラズマ処理装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-066095
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261621
出願日： 1997年03月19日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】【課題】処理室内の処理ガスの分解の状態を制御する、つまり処理室内のラジカルの状態を制御する手段と、処理室の側壁部の壁面の状態を制御する手段を提供する。【解決手段】アンテナ11により電極2が生成するのとは異なる電子温度を持つプラズマと異なる成分比のラジカルを生成することにより処理室9内部のラジカルの成分を制御する。また、アンテナ11により側壁部6の近傍にプラズマを生成することにより側壁部の壁面の状態を制御する。【効果】処理室内のラジカルの成分を制御することにより半導体デバイスなどの処理対象物の加工レートや加工形状といった微細加工の性能を上げることが出来る。また、処理室の側壁部の近傍に生成したプラズマにより壁面状態を制御することにより微細加工の性能を上げることが出来る。

請求項（抜粋）：

処理チャンバと、該処理チャンバに処理ガスを供給する手段と、前記処理チャンバを真空に保つ排気手段と、前記処理チャンバ中に処理対象物を固定する支持台と、前記処理チャンバ中にプラズマを発生するために電気エネルギを加える電極とを有し、前記処理チャンバ内部に前記電極と前記支持台とで間隙を形成しているプラズマ処理装置において、前記処理チャンバ中に電気エネルギを発生するアンテナを設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/205 , H05H 1/46 , C23C 16/50

FI (4件)：

H01L 21/302 B , H01L 21/205 , H05H 1/46 M , C23C 16/50

引用特許：

審査官引用 (8件)

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-003366 出願人：松下電器産業株式会社
プラズマ処理方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-122869 出願人：日本真空技術株式会社
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-048288 出願人：株式会社日立製作所

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