特許
J-GLOBAL ID：200903050649321038

パワー半導体モジュールおよび電力変換装置

発明者：
田多 伸光

田多 伸光 について

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大部 利春

大部 利春 について

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関谷 洋紀

関谷 洋紀 について

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萩原 敬三

萩原 敬三 について

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新留 正和

新留 正和 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (2件)： 猪股 祥晃 ,  猪股 弘子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-166033
公開番号（公開出願番号）：特開2005-347561
出願日： 2004年06月03日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：
【課題】配線に寄生するインダクタンスが小さく、発生サージ電圧が低く、通電可能電圧が高く、小形で信頼性の高いパワー半導体モジュールおよび電力変換装置を提供する。【解決手段】スイッチングチップ43とダイオードチップ44を絶縁基板40上に設け、複数の絶縁基板40を共通のケース4内に収納してブリッジ構成としたパワー半導体モジュール12において、絶縁基板40間を接続するP側配線とN側配線は、相互に絶縁され積層状に設けられた平板状の主導体5a、6aと、両主導体5a、6aの端部に形成され相互に絶縁され積層状に設けられた帯状の副導体5b、6bとを備え、両副導体5b、6bの端部を外部接続端子P2、N2とした構成とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
スイッチングチップとダイオードチップを絶縁基板上に設け、複数の前記絶縁基板を共通のケース内に収納してブリッジ構成としたパワー半導体モジュールにおいて、前記絶縁基板間を接続するP側配線とN側配線は、相互に絶縁され積層状に設けられた平板状の主導体と、前記両主導体の端部に形成され相互に絶縁され積層状に設けられた帯状の副導体とを備え、前記両副導体の端部を外部接続端子としたことを特徴とするパワー半導体モジュール。
IPC (4件)：
H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02M1/00 ,  H02M7/48
FI (3件)：
H01L25/04 C ,  H02M1/00 F ,  H02M7/48 Z
Fターム (9件)：
5H007FA01 ,  5H007FA13 ,  5H007HA04 ,  5H740AA04 ,  5H740BA11 ,  5H740MM01 ,  5H740MM10 ,  5H740PP03 ,  5H740PP07
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (7件)
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