特許
J-GLOBAL ID：200903050649819613
半導体ウエハの保護方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-148616
公開番号（公開出願番号）：特開2005-332901
出願日： 2004年05月19日
公開日（公表日）： 2005年12月02日
要約：
【課題】 半導体ウェハの裏面研削時にはウェハ表面の凹部や段差によく密着して水浸入によるウェハの破損や汚染を防止することが可能であり、且つ、ダイボンディング用接着フィルムを貼り付ける加熱工程を経た後でも容易に剥離できる半導体ウェハの保護方法を提供する。【解決手段】 基材フィルムの片表面に光照射により高弾性率化する粘着剤層が形成された粘着フィルムを半導体ウェハの回路形成面に貼着する第一工程、該半導体ウェハを研削機又は研磨機に固定し、半導体ウェハの回路非形成面を加工する第二工程、粘着フィルムに光照射して粘着剤層を高弾性率化する第三工程、半導体ウェハの回路非形成面にダイボンティング用接着フィルムを貼着する第四工程、及び粘着フィルムを半導体ウェハより剥離する第五工程を具備することを特徴とする半導体ウェハの製造における半導体ウエハの保護方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
基材フィルムの片表面に光照射により高弾性率化する粘着剤層が形成された粘着フィルムを半導体ウェハの回路形成面に貼着する第一工程、該半導体ウェハを研削機又は研磨機に固定し、半導体ウェハの回路非形成面を加工する第二工程、粘着フィルムに光照射して粘着剤層を高弾性率化する第三工程、半導体ウェハの回路非形成面にダイボンティング用接着フィルムを貼着する第四工程、及び粘着フィルムを半導体ウェハより剥離する第五工程を具備することを特徴とする半導体ウェハの製造工程における半導体ウェハ保護方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/78 P
, H01L21/304 622J
, H01L21/78 M
出願人引用 (3件)
審査官引用 (5件)
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