特許
J-GLOBAL ID:200903050779764772
メソポーラスシリカ
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
大谷 保
, 東平 正道
, 片岡 誠
, 平澤 賢一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-027901
公開番号(公開出願番号):特開2006-347866
出願日: 2006年02月06日
公開日(公表日): 2006年12月28日
要約:
【課題】細孔径が小さく、かつ規則性の高い細孔構造を有するメソポーラスシリカ、及びその効率的な製造方法を提供する。【解決手段】ヘキサゴナル構造を有し、粉末X線回折(XRD)における(1,0,0)面の面間隔が2〜3nm以下の範囲にあるメソポーラスシリカ、並びに、(a)一般式(1) [R1(CH3)3N]+Cl- (1) 及び一般式(2) [R1R2(CH3)2N]+Cl- (2)(式中、R1及びR2は、炭素数4〜8のアルキル基を示す。)で表される第四級アンモニウム塩と、シリカ源を含むシリカ源含有第四級アンモニウム塩水溶液を調製する工程、(b)この水溶液を加熱処理して、第四級アンモニウム塩とシリカ源との複合体を析出させる工程、及び(c)該複合体を焼成処理し、第四級アンモニウム塩を除去する工程、を含む前記メソポーラスシリカの製造方法である。【選択図】なし
請求項(抜粋):
ヘキサゴナル構造を有し、粉末X線回折(XRD)における(1,0,0)面の面間隔が2〜3nmの範囲にあるメソポーラスシリカ。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (8件):
4G073CZ54
, 4G073FB01
, 4G073FC19
, 4G073FC25
, 4G073FD23
, 4G073GA03
, 4G073GA12
, 4G073GB10
引用特許: