特許
J-GLOBAL ID:200903051033783379
低誘電率フィラーと、これを用いた低誘電率組成物および低誘電率膜
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (7件):
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-358610
公開番号(公開出願番号):特開2007-161518
出願日: 2005年12月13日
公開日(公表日): 2007年06月28日
要約:
【課題】誘電率特性に優れ、表面粗さおよび熱膨張係数が低く、破断強度が高い低誘電率膜を形成するための低誘電率フィラーと、これを用いた低誘電率組成物および低誘電率膜を提供する。【解決手段】本発明の低誘電率フィラーは、細孔を有し、平均一次粒子径が10nm以上かつ100nm以下の多孔質球状シリカ微粒子からなることを特徴とする。【選択図】なし
請求項(抜粋):
細孔を有し、平均一次粒子径が10nm以上かつ100nm以下の多孔質球状シリカ微粒子からなることを特徴とする低誘電率フィラー。
IPC (5件):
C01B 33/159
, H01L 23/14
, H05K 1/03
, C08L 101/00
, C08K 7/26
FI (5件):
C01B33/159
, H01L23/14 R
, H05K1/03 610R
, C08L101/00
, C08K7/26
Fターム (47件):
4G072AA28
, 4G072BB07
, 4G072BB15
, 4G072CC04
, 4G072DD06
, 4G072GG01
, 4G072GG02
, 4G072HH29
, 4G072HH30
, 4G072JJ41
, 4G072KK15
, 4G072MM34
, 4G072MM36
, 4G072QQ07
, 4G072TT01
, 4G072TT05
, 4G072TT30
, 4G072UU09
, 4J002BB001
, 4J002BC031
, 4J002BC061
, 4J002BD121
, 4J002BG051
, 4J002BG061
, 4J002BK001
, 4J002CC031
, 4J002CD001
, 4J002CF001
, 4J002CF161
, 4J002CG001
, 4J002CH001
, 4J002CH091
, 4J002CK021
, 4J002CL001
, 4J002CM001
, 4J002CM031
, 4J002CN031
, 4J002CP031
, 4J002DJ016
, 4J002FA086
, 4J002FA096
, 4J002FB086
, 4J002FB096
, 4J002FB146
, 4J002GF00
, 4J002GH01
, 4J002GQ01
引用特許:
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