特許
J-GLOBAL ID：200903051073904527

半導体記憶装置

発明者：
鈴木 俊宏

鈴木 俊宏 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (2件)： 伊丹 勝 ,  田村 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-334285
公開番号（公開出願番号）：特開2008-146772
出願日： 2006年12月12日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：
【課題】高精度の内部電圧発生回路を備えた半導体記憶装置を提供する。【解決手段】内部電圧発生回路を備えた半導体記憶装置において、前記内部電圧発生回路は、電荷転送動作により電源電圧を昇圧するポンプ回路と、このポンプ回路の出力電圧を検出する電圧検出回路と、前記電圧検出回路の出力に応じて前記ポンプ回路を制御する第1のポンプ制御回路と、前記ポンプ回路の出力電圧が所定範囲内にあるときに前記第1のポンプ制御回路に代わって前記ポンプ回路を制御する第2のポンプ制御回路とを有する。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
内部電圧発生回路を備えた半導体記憶装置において、 前記内部電圧発生回路は、 電荷転送動作により電源電圧を昇圧するポンプ回路と、 このポンプ回路の出力電圧を検出する電圧検出回路と、 前記電圧検出回路の出力に応じて前記ポンプ回路を制御する第1のポンプ制御回路と、 前記ポンプ回路の出力電圧が所定範囲内にあるときに前記第1のポンプ制御回路に代わって前記ポンプ回路を制御する第2のポンプ制御回路と、 を有することを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (5件)：
G11C 16/06 ,  G11C 16/02 ,  G06F 1/28 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04
FI (4件)：
G11C17/00 632A ,  G11C17/00 641 ,  G06F1/00 333D ,  H01L27/04 G
Fターム (22件)：
5B011EB01 ,  5B011GG03 ,  5B125BA02 ,  5B125BA19 ,  5B125CA11 ,  5B125DB12 ,  5B125DB19 ,  5B125EA05 ,  5B125EG05 ,  5B125EG08 ,  5B125EH02 ,  5B125FA02 ,  5B125FA05 ,  5F038BB05 ,  5F038BG02 ,  5F038BG03 ,  5F038BG04 ,  5F038BG05 ,  5F038BG06 ,  5F038BG08 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ20
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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