特許
J-GLOBAL ID：200903051118141139

ヘテロエピタキシャルウエーハおよびその製造方法

発明者：
鈴木 由佳里

鈴木 由佳里 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-363227
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200188
出願日： 2002年12月16日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：
【課題】SiC基板の主表面上に、GaN系化合物半導体からなる化合物半導体層をヘテロエピタキシャル成長させたヘテロエピタキシャルウエーハにおいて、該化合物半導体層の品質を効果的に高めることが可能なヘテロエピタキシャルウエーハおよび、その製造方法を提供する。【解決手段】SiC単結晶からなるSiC基板1の主表面直上に、ハイドライド気相成長法にてSiCエピタキシャル層9をホモエピタキシャル成長させ、該SiCエピタキシャル層9の上に、有機金属気相成長法にてGaN系化合物半導体層3をヘテロエピタキシャル成長させる。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
SiC単結晶よりなる基板の主表面上に、GaN系化合物半導体層をヘテロエピタキシャル成長させたヘテロエピタキシャルウエーハにおいて、 前記基板の主表面直上にハイドライド気相成長法にてホモエピタキシャル成長させてなるSiCエピタキシャル層を有し、 前記GaN系化合物半導体層は、有機金属気相成長法にて形成されてなることを特徴とするヘテロエピタキシャルウエーハ。
IPC (7件)：
H01L21/20 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  H01L21/338 ,  H01L29/26 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812
FI (6件)：
H01L21/20 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 D ,  H01L29/26 ,  H01L29/80 B ,  H01L29/80 H
Fターム (36件)：
4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077EF03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC13 ,  4G077TC14 ,  5F052CA01 ,  5F052DA04 ,  5F052DA10 ,  5F052DB10 ,  5F052EA11 ,  5F052FA19 ,  5F052JA05 ,  5F052JA07 ,  5F052JA10 ,  5F052KA01 ,  5F052KA06 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM06 ,  5F102GN04 ,  5F102GR01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01
引用特許：
審査官引用 (5件)
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