特許
J-GLOBAL ID：200903027949103383

単結晶SiC及びその製造方法、SiC半導体装置並びにSiC複合材料

発明者：
八木 邦明

八木 邦明 について

, 
長澤 弘幸

長澤 弘幸 について


出願人/特許権者：
ホーヤ株式会社

ホーヤ株式会社 について


代理人 (1件)： 阿仁屋 節雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-011312
公開番号（公開出願番号）：特開2002-220299
出願日： 2001年01月19日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：
【要約】【課題】 SiCの面欠陥密度が低く、かつ、生産性よく製造できる単結晶SiC及びその製造方法、SiC半導体装置並びにSiC複合材料を得る。【解決手段】 C又は必要に応じてC及びSiを含む原料物質Mの存在下で基板101を加熱することにより、この基板表面に薄い単結晶SiC層101aを形成する単結晶SiC層形成工程と、この単結晶SiC層形成工程によって形成された単結晶SiC層101aの上に、気相成長法又は液相成長法によりSiC101bを堆積させるSiC堆積工程とを有する単結晶SiC製造方法において、前記単結晶SiC層形成工程は、前記基板の表面の近傍に、前記原料物質を供給し、前記基板表面近傍における原料物質の分圧を不純物物質の分圧に対して所定以上にすることによって、不純物物質が基板表面に到達することを抑制し、不純物物質による基板表面のエッチングを防止しながら行うことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
C又は必要に応じてC及びSiを含む原料物質の存在下で基板を加熱することにより、この基板表面に薄い単結晶SiC層を形成する単結晶SiC層形成工程と、この単結晶SiC層形成工程によって形成された単結晶SiC層の上に、気相成長法又は液相成長法によりSiCを堆積させるSiC堆積工程とを有し、前記単結晶SiC層形成工程は、前記基板の表面の近傍に、前記原料物質を供給し、前記基板表面近傍における原料物質の分圧を不純物物質の分圧に対して所定以上にすることによって、不純物物質が基板表面に到達することを抑制し、不純物物質による基板表面のエッチングを防止しながら行うことを特徴とする単結晶SiC製造方法。
IPC (5件)：
C30B 29/36 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/872 ,  H01L 33/00 ,  H01L 21/368
FI (5件)：
C30B 29/36 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 A ,  H01L 21/368 Z ,  H01L 29/48 D
Fターム (33件)：
4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077FJ06 ,  4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104HH20 ,  5F041AA40 ,  5F041CA22 ,  5F041CA33 ,  5F041CA64 ,  5F045AB06 ,  5F045AB07 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC08 ,  5F045AD14 ,  5F045AD17 ,  5F045AE15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA11 ,  5F045DA67 ,  5F053DD02 ,  5F053FF01 ,  5F053HH01 ,  5F053LL02 ,  5F053RR03
引用特許：
審査官引用 (9件)
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