特許
J-GLOBAL ID:200903051130487768

マイクロマシン及び静電容量型センサの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 有我 軍一郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-005218
公開番号(公開出願番号):特開2006-196588
出願日: 2005年01月12日
公開日(公表日): 2006年07月27日
要約:
【課題】 半導体チップを破損することなく分割することができるという効果を有するマイクロマシンの製造方法を提供すること。 【解決手段】 シリコンマイク素子の製造方法を、半導体基板11と半導体基板12とを接着層13を介して接着する工程と、熱処理によって酸化膜14を成長させ、この酸化膜14をフォトリソグラフィ技術で加工し、エッチングマスクを形成する工程と、酸化膜14で形成されたエッチングマスクを用いて振動板15と、背面板16と、枠17とを形成する工程と、背面板16をエッチングマスクにし、接着層13をエッチングして空隙部19を形成する工程と、背面板16側から金属膜を蒸着して電極端子20を形成する工程とすることで、両面に粘着フィルムを貼り付けてダイシングによりチップに分割する際、枠17によって、背面板16が粘着フィルムに取り込まれてしまうのを防ぐ。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
半導体基板を複数の領域に区切り、前記複数の領域に複数の半導体チップを形成するチップ形成工程と、前記複数の領域に区切る枠を前記半導体基板に形成する枠形成工程と、前記枠の位置を基準とした所定の範囲内において前記複数の半導体チップを個々に分割するチップ分割工程とを含むことを特徴とするマイクロマシンの製造方法。
IPC (2件):
H01L 21/301 ,  B81C 3/00
FI (2件):
H01L21/78 L ,  B81C3/00
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 圧力センサおよびその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2000-202754   出願人:日本放送協会, 株式会社東北テクノアーチ
  • 特開昭59-21038号公報(第4-8頁、第4図)
審査官引用 (6件)
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