特許
J-GLOBAL ID:200903051215389838

半導体ウェーハの露出面を改質する方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 青山 葆 (外1名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-512915
公開番号(公開出願番号):特表平11-512874
出願日: 1996年09月19日
公開日(公表日): 1999年11月02日
要約:
【要約】半導体ウェーハの露出面を改質する方法であって、(a)該表面を、多数の研磨剤粒子と結合剤とを所定のパターン形状で含む3次元的に加工された研磨表面を有する固定された研磨物品と接触させるステップと、(b)該ウェーハと該固定された研磨物品とを相対的に移動させて、該ウェーハの前記表面を改質するステップとを含む方法。
請求項(抜粋):
半導体ウェーハの露出面を改質する方法であって、 (a)前記露出面を、多数の研磨剤粒子と結合剤を所定のパターン形状で配列して含む3次元的に織られて固定された研磨物品と接触させるステップと、 (b)前記ウェーハと前記固定された研磨物品とを相対的に移動させて、前記ウェーハの前記表面を改質するステップとを含む方法。
IPC (2件):
H01L 21/304 622 ,  B24D 11/00
FI (2件):
H01L 21/304 622 F ,  B24D 11/00 M
引用特許:
審査官引用 (22件)
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