特許
J-GLOBAL ID：200903051381949809
有機EL素子の配線パターンの形成方法及び有機EL素子の形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
吉井 剛
, 吉井 雅栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-355360
公開番号（公開出願番号）：特開2007-157659
出願日： 2005年12月08日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：
【課題】有機化合物層や透明電極層にダメージを与えることなく、微細な電極パターンを形成可能な極めて実用性に秀れた有機EL素子の電極パターンの形成方法を提供する。【解決手段】基板1上に陽極2,有機化合物層3,金属電極層4を順次積層して成る有機EL素子の配線パターン化に際してレーザーアブレーション現象を利用する配線パターンの形成方法において、真空中若しくは不活性ガス雰囲気中にて、波長が近赤外領域で、パルス幅が10fs〜10ps、レーザーフルーエンスが0.1〜0.3J/cm2のレーザー6を前記金属電極層4表面にパルス発振により照射する際、その照射位置の膜厚分の金属電極層4のみをエッチングするために必要な積算照射時間をパルス周波数に応じて制御し、当該金属電極層4のみを選択的にエッチングするものである。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上に陽極,有機化合物層,金属電極層を順次積層して成る有機EL素子の配線パターン化に際してレーザーアブレーション現象を利用する配線パターンの形成方法において、真空中若しくは不活性ガス雰囲気中にて、波長が近赤外領域で、パルス幅が10fs〜10ps、レーザーフルーエンスが0.1〜0.3J/cm2のレーザーを前記金属電極層表面にパルス発振により1回又は複数回に分割して照射する際、その照射位置の膜厚分の金属電極層のみをエッチングするために必要な積算照射時間をパルス周波数に応じて制御し、当該金属電極層のみを選択的にエッチングすることを特徴とする有機EL素子の配線パターンの形成方法。
IPC (3件)：
H05B 33/10
, H01L 51/50
, B23K 26/36
H05B33/10
, H05B33/14 A
, B23K26/36
3K007AB18
, 3K007DB03
, 3K007FA00
, 4E068AH00
, 4E068CA03
, 4E068CA04
, 4E068CB05
, 4E068CD13
, 4E068DA09
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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