特許
J-GLOBAL ID：200903051383913771
半導体装置及びその製造方法ならびに電子装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-029508
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228466
出願日： 1999年02月08日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：
【要約】【課題】 樹脂基板に多層回路配線を設けた配線基板において、発熱量の大きい半導体素子を搭載する。高密度・高集積化の発熱量の大きい半導体素子を搭載する。【解決手段】 樹脂基板に回路配線を設けた配線基板に金属板が埋め込まれ、該金属板の上面に、半導体チップの回路素子形成面(表面)と反対側面(裏面)が高融点半田で接着固定され、前記半導体チップの回路素子形成面上に形成された電極パッドと前記配線基板上の配線端子とが金属ワイヤで電気的に接続され、前記半導体チップ、金属ワイヤ、配線基板上の配線端子及びそれぞれの電気的接続部が樹脂封止体で封止されてなる半導体装置である。
請求項（抜粋）：
樹脂基板に回路配線が形成された配線基板に放熱板が埋め込まれ、該放熱板の上面に、半導体チップの回路素子形成面と反対側面が高融点半田で接着固定され、前記半導体チップの回路素子形成面上に形成された電極パッドと前記配線基板上の回路配線とが金属ワイヤで電気的に接続され、前記半導体チップ、金属ワイヤ、配線基板上の回路配線及びそれぞれの電気的接続部が樹脂封止体で封止されてなることを特徴とする半導体装置。
Fターム (7件)：
5F036AA01
, 5F036BA04
, 5F036BA26
, 5F036BB08
, 5F036BC06
, 5F036BD01
, 5F036BE01
