特許
J-GLOBAL ID：200903051488625496
半導体レーザ素子およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-277117
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121869
出願日： 1997年10月09日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザ素子の低閾値の設定、電流特性の高効率化、さらには、高出力、高信頼性を図る。【解決手段】 活性層4を含むメサ部100の側面を高抵抗層40で覆い、メサ部100と埋込層10,11とを電気的に遮断することにより、p型クラッド層6とp+ 埋込層10との間、および、n型クラッド層3とn+ 埋込層11との間を電気的に遠ざけてリークパス電流を阻止する。
請求項（抜粋）：
結晶基板上に少なくとも活性層とその活性層を挟んで光およびキャリアを閉じ込めるためのクラッド層とを有する多層構造からなるメサ部に対して、p-n接合分離型の電流狭窄のための埋込層が設けられたメサ型構造の半導体レーザ素子であって、少なくとも前記活性層の両側端面を含む前記メサ部の側端面の一部を被覆する、高抵抗で低濃度なバッファ層を設け、該高抵抗で低濃度なバッファ層によって前記メサ部の活性層部分を前記埋込層から電気的に分離して構成したことを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/18
, H01L 21/208 Z
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (13件)
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