特許
J-GLOBAL ID：200903051503253495
薄膜太陽電池およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-343734
公開番号（公開出願番号）：特開平10-190022
出願日： 1996年12月24日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 低コストで生産できる構造を備える薄膜太陽電池において、半導体膜中のキャリアの再結合を抑制し、変換効率の向上を図ること。【解決手段】 周囲が第1の接合層14に覆われたp型の半導体膜12中に、n型の第2の接合層13を設けることにより、半導体膜12を内部にp-n接合面を複数形成する多層接合型とした。【効果】 貫通孔4を備え、薄膜太陽電池11が低コストで作製できるとともに、第2の接合層13を備える半導体膜12により、半導体膜12中における電子の再結合を抑制でき、薄膜太陽電池11の変換効率の向上を図ることができる。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体膜と、上記半導体膜の光入射面とは反対側に形成された第1導電型の第1電極と、上記半導体膜の光反射面の反対側の面の上記第1電極が形成された部分を除いた部分と光入射面およびこれらを接続する側部に形成された第2導電型の第1の接合層と、上記第1の接合層の上記半導体の光入射面とは反対側の面に上記第1電極と並列に形成された第2導電型の第2電極とを備える薄膜太陽電池において、上記第1の接合層に接続されると共に、上記第2電極と並列に形成され、かつ、上記第1電極による多数キャリアの収集空間を妨げない空間を保持させる長さを有する第2導電型の第2の接合層を備えることを特徴とする薄膜太陽電池。
引用特許：
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