特許
J-GLOBAL ID:200903051548468042
絶縁回路基板とその製法およびそれを用いた半導体パワー素子
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
小川 勝男 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-273600
公開番号(公開出願番号):特開2003-086747
出願日: 2001年09月10日
公開日(公表日): 2003年03月20日
要約:
【要約】【課題】使い勝手が良く、低熱抵抗で高信頼性の半導体パワー素子用の絶縁回路基板の提供。【解決手段】回路板と放熱板の間に、セラミックス板を設けた熱拡散板を1層以上配置した基板で、前記熱拡散板を半導体パワー素子の通電路とし、必要に応じ熱拡散板中に冷却用の水路を設けた構造の絶縁回路基板。
請求項(抜粋):
回路板,第1のセラミックス板,熱拡散板,第2のセラミックス板および放熱板の積層体により形成したことを特徴とする絶縁回路基板。
IPC (4件):
H01L 23/373
, H01L 23/473
, H05K 1/02
, H05K 7/20
FI (4件):
H05K 1/02 F
, H05K 7/20 C
, H01L 23/36 M
, H01L 23/46 Z
Fターム (20件):
5E322AA11
, 5E322AB02
, 5E322EA11
, 5E322FA04
, 5E338AA01
, 5E338AA18
, 5E338BB63
, 5E338BB71
, 5E338BB75
, 5E338CC01
, 5E338CD11
, 5E338EE01
, 5E338EE02
, 5F036AA01
, 5F036BB08
, 5F036BB41
, 5F036BB45
, 5F036BD01
, 5F036BD03
, 5F036BD13
引用特許:
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