特許
J-GLOBAL ID：200903051602007447

高周波用配線基板

発明者：
北澤 謙治

北澤 謙治 について

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中山 明

中山 明 について

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郡山 慎一

郡山 慎一 について

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南上 英博

南上 英博 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-185931
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228461
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：
【要約】【課題】高周波用配線基板において、誘電体基板に形成された中心導体およびグランド層の界面導電率が小さく、マイクロ波やミリ波の高周波伝送線路における伝送損失が小さく、且つ簡略した構造からなる小型化が可能な高信頼性の高周波用配線基板を提供する。【解決手段】 セラミック誘電体基板2と、セラミック誘電体基板2に設けられた中心導体6,7,10とグランド層8,9とからなる高周波伝送線路と、を具備する高周波用配線基板1において、中心導体6,7,10および/またはグランド層8,9が高融点金属を主成分とする場合、誘電体基板2との界面の界面導電率σ(13GHz)が0.4×107 Ω-1・m-1以上、CuまたはAgを主成分とする場合、3×107 Ω-1・m-1以上となるように制御することにより、伝送損失を低減する。
請求項（抜粋）：
誘電体基板と、該誘電体基板に設けられた中心導体とグランド層とからなる高周波伝送線路と、を具備する高周波用配線基板において、前記中心導体および/またはグランド層が高融点金属を主成分とする導体層によって形成され、該導体層の前記誘電体基板との界面における界面導電率σ(13GHz)が0.4×107 Ω-1・m-1以上であることを特徴とする高周波用配線基板。
IPC (3件)：
H01L 23/12 301 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/15
FI (3件)：
H01L 23/12 301 L ,  H01L 23/12 Q ,  H01L 23/14 C
引用特許：
審査官引用 (5件)
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