高耐食ニッケル-金めっき

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡戸昭佳 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-047224
公開番号（公開出願番号）：特開2001-234361
出願日： 2000年02月24日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】コストや生産性をあまり犠牲にしないで高耐食性を実現した高耐食ニッケル-金めっきを提供すること。【解決手段】下地金属1上にニッケルめっき層を有しさらにその上に金めっき層4を有する層構造において,ニッケルめっき層を上下2層とし,下層の第1ニッケルめっき層2が上層の第2ニッケルめっき層3よりも貴な腐食電位を持つようにした。このため,腐食環境下において第2ニッケルめっき層3の犠牲防食作用により第1ニッケルめっき層2が保護される。したがって,孔食による第1ニッケルめっき層2の腐食速度が遅く,各めっき層の厚さをさほど厚くしなくても十分な耐久性を発揮する。

請求項（抜粋）：

下地金属上に被覆された第1ニッケルめっき層と,前記第1ニッケルめっき層上に被覆された第2ニッケルめっき層と,前記第2ニッケルめっき層上に被覆された金めっき層とを有し,前記第1ニッケルめっき層の腐食電位が前記第2ニッケルめっき層の腐食電位よりも高い(貴である)ことを特徴とする高耐食ニッケル-金めっき。

IPC (4件)：

C23C 28/02 , C23F 17/00 , C25D 5/12 , C25D 7/00

FI (4件)：

C23C 28/02 , C23F 17/00 , C25D 5/12 , C25D 7/00 H

Fターム (19件)：

4K024AA03 , 4K024AA11 , 4K024AB03 , 4K024BA09 , 4K024BB10 , 4K024BB11 , 4K024GA04 , 4K044AA06 , 4K044BA06 , 4K044BA08 , 4K044BB04 , 4K044BC02 , 4K044CA18 , 4K062AA10 , 4K062CA10 , 4K062DA07 , 4K062EA20 , 4K062FA09 , 4K062GA03

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体装置用基板及びその製造方法、及び半導体装置、カード型モジュール、情報記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-140063 出願人：株式会社東芝
成形基板の製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-116461 出願人：三菱瓦斯化学株式会社
特開平2-173289

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