特許
J-GLOBAL ID:200903051911838302

基板処理方法および装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 間宮 武雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-296342
公開番号(公開出願番号):特開2002-110605
出願日: 2000年09月28日
公開日(公表日): 2002年04月12日
要約:
【要約】【課題】 オゾン水による基板の処理時間を短くし、スループットを高くできる装置を提供する。【解決手段】 低温で高溶存オゾン濃度のオゾン水を収容しそのオゾン水中に基板Wが浸漬させられて処理されるオゾン処理槽12と、高温に加熱された温純水を収容しその温純水中に基板が浸漬させられて加熱される温純水槽48と、温純水槽48とオゾン処理槽12との相互間で基板を搬送する基板搬送手段とを備えた。
請求項(抜粋):
オゾンが溶解したオゾン水中に基板を浸漬させて処理する基板処理方法において、基板を加熱する基板加熱工程と、加熱された基板をオゾン水中に浸漬させて処理する基板処理工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。
IPC (8件):
H01L 21/304 641 ,  H01L 21/304 642 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/304 648 ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/1333 500 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/306
FI (8件):
H01L 21/304 641 ,  H01L 21/304 642 B ,  H01L 21/304 647 Z ,  H01L 21/304 648 K ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/1333 500 ,  H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/306 A
Fターム (15件):
2H088FA21 ,  2H088FA24 ,  2H088FA30 ,  2H088HA01 ,  2H090JC06 ,  2H090JC08 ,  2H090JC19 ,  5F043AA37 ,  5F043BB25 ,  5F043CC16 ,  5F043DD07 ,  5F043DD30 ,  5F046MA02 ,  5F046MA03 ,  5F046MA10
引用特許:
審査官引用 (5件)
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