特許
J-GLOBAL ID：200903052159791764
不揮発性メモリ装置のプログラム方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人中川国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-208802
公開番号（公開出願番号）：特開2009-283117
出願日： 2008年08月14日
公開日（公表日）： 2009年12月03日
要約：
【課題】 本発明の不揮発性メモリ装置のプログラム方法は、各セルのプログラム速度に応じてプログラム開始電圧を異なって設定する不揮発性メモリ装置のプログラム方法を提供することを目的としている。【解決手段】 第1頁に対してプログラム動作を行う段階と、前記第1頁に対するプログラム動作が完了するまでプログラムパルス印加回数をカウントする段階と、前記カウントされたプログラムパルス印加回数としきい値を比較してプログラム開始電圧を再設定する段階と、第2頁に対して前記再設定されたプログラム開始電圧に応じてプログラム動作を行う段階とを含む構成としたことを特徴とする。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
第1頁に対してプログラム動作を行う段階と、
前記第1頁に対するプログラム動作が完了するまでプログラムパルス印加回数をカウントする段階と、
前記カウントされたプログラムパルス印加回数としきい値を比較してプログラム開始電圧を再設定する段階と、
第2頁に対して前記再設定されたプログラム開始電圧に応じてプログラム動作を行う段階と、
を含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
IPC (1件)：
FI (5件)：
G11C17/00 611E
, G11C17/00 612E
, G11C17/00 612D
, G11C17/00 611Z
, G11C17/00 601B
5B125BA02
, 5B125CA01
, 5B125CA14
, 5B125DA03
, 5B125DB02
, 5B125DB08
, 5B125DB12
, 5B125DB14
, 5B125DB18
, 5B125DC03
, 5B125DC08
, 5B125DC10
, 5B125DC12
, 5B125DE11
, 5B125EA05
, 5B125FA01
