特許
J-GLOBAL ID：200903052167963515

磁気抵抗効果装置およびその製造方法ならびに薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

発明者：
佐々木 芳高

佐々木 芳高 について

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上釜 健宏

上釜 健宏 について


出願人/特許権者：
ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド

ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド について

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エスエーイー マグネティクス(エイチ.ケー.)リミティド

エスエーイー マグネティクス(エイチ.ケー.)リミティド について


代理人 (1件)： 星宮 勝美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-357438
公開番号（公開出願番号）：特開2003-338014
出願日： 2002年12月10日
公開日（公表日）： 2003年11月28日
要約：
【要約】【課題】 磁気抵抗効果装置または薄膜磁気ヘッドの感度、出力および出力安定性を向上させる。【解決手段】 薄膜磁気ヘッドの再生ヘッドは、MR素子5と、MR素子5の各側部に隣接するように配置された一対のバイアス磁界印加層6と、バイアス磁界印加層6の上に配置されると共にMR素子5にオーバーラップしている一対の電極層7とを有している。電極層7は、保護層を介してMR素子5の上面の一部に重なるように配置された第1層7aと、この第1層7aに部分的に重なるように配置された第2層7bとを有している。再生ヘッドの製造方法では、MR素子5となる素子用膜の上に保護層を形成した後、保護層が大気に暴露される工程を途中に含むことなく連続的に、第1層7aとなる第1の電極用膜を形成する。
請求項（抜粋）：
互いに反対側を向く2つの面と、2つの側部とを有する磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の各側部に隣接するように配置され、前記磁気抵抗効果素子に対してバイアス磁界を印加する一対のバイアス磁界印加層と、それぞれ各バイアス磁界印加層の一方の面に隣接し、且つ前記磁気抵抗効果素子の一方の面に部分的に重なるように配置され、前記磁気抵抗効果素子に対して信号検出用の電流を流す一対の電極層とを備えた磁気抵抗効果装置であって、前記各電極層は、前記磁気抵抗効果素子の一方の面の一部に重なるように配置された第1層と、前記第1層に部分的に重なるように配置され、且つ前記第1層に電気的に接続された第2層とを有することを特徴とする磁気抵抗効果装置。
IPC (3件)：
G11B 5/39 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12
FI (3件)：
G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12
Fターム (4件)：
5D034BA03 ,  5D034BA11 ,  5D034BB12 ,  5D034DA07
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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