特許
J-GLOBAL ID:200903052272168402
III族窒化物の結晶成長方法およびIII族窒化物結晶
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
植本 雅治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-014038
公開番号(公開出願番号):特開2005-206415
出願日: 2004年01月22日
公開日(公表日): 2005年08月04日
要約:
【課題】 従来よりも低コストで、実用的な大きさの大型,大面積の高品質なIII族窒化物結晶を作製することの可能なIII族窒化物の結晶成長方法及びIII族窒化物結晶を提供する。【解決手段】 少なくともアルカリ金属とIII族金属原料と窒素とが溶解した溶液25からIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長方法において、前記溶液25に、III族窒化物結晶の-c軸方向の成長を促進する物質を含ませて、III族窒化物結晶29を成長させる。【選択図】 図8
請求項(抜粋):
少なくともアルカリ金属とIII族金属原料と窒素とが溶解した溶液からIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長方法において、前記溶液に、III族窒化物結晶の-c軸方向の成長を促進する物質を含ませて、III族窒化物結晶を成長させることを特徴とするIII族窒化物の結晶成長方法。
IPC (4件):
C30B29/38
, C30B9/12
, H01L33/00
, H01S5/323
FI (4件):
C30B29/38 D
, C30B9/12
, H01L33/00 C
, H01S5/323 610
Fターム (16件):
4G077AA02
, 4G077AB02
, 4G077BE15
, 4G077CC02
, 4G077EB01
, 4G077HA02
, 4G077KA01
, 4G077KA09
, 4G077LA01
, 5F041AA31
, 5F041AA44
, 5F041CA40
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073EA28
, 5F073EA29
引用特許:
引用文献:
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