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J-GLOBAL ID：200902215592126689   整理番号：03A0692635

Naフラックス法によるGaN単結晶成長におよぼす3d遷移金属添加物の影響

Influence of 3d-Transition-Metal Additives on Single Crystal Growth of GaN by the Na Flux Method

著者 (6件)： AOKI M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YAMANE H (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SHIMADA M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SARAYAMA S (Ricoh Co., Ltd., Natori, JPN) ,  IWATA H (Ricoh Co., Ltd., Natori, JPN) ,  DISALVO F J (Cornell Univ., New York, USA)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42  号： 9A  ページ： 5445-5449  発行年： 2003年09月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Naフラックス法でCr,Mn,Fe,CoとNi添加物を加えて...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (36件)：

• 1) S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul and F. Ren: J. Appl. Phys. 86 (1999) 1.
• 2) B. Monemar: J. Mater. Sci. Mater. Electron. 10 (1999) 227.
• 3) M. K. Kelly, R. P. Vaudo, V. M. Phanse, L. Görgens, O. Ambacher and M. Stutzmann: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) L217.
• 4) K. Motoki, T. Okahisa, N. Matsumoto, M. Matsushima, H. Kimura, H. Kasai, K. Takemoto, K. Uematsu, T. Hirano, M. Nakayama, S. Nakahata, M. Ueno, D. Hara, Y. Kumagai, A. Koukitu and H. Seki: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) L140.
• 5) S. Porowski: J. Cryst. Growth 189/190 (1998) 153.

タイトルに関連する用語 (7件)： Na ,  フラックス法 ,  GaN ,  単結晶成長 ,  3D ,  遷移金属 ,  添加物