特許
J-GLOBAL ID：200903052379778076

不揮発性半導体メモリ

発明者：
八重樫 利武

八重樫 利武 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (22件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  勝村 紘 ,  橋本 良郎 ,  風間 鉄也 ,  河井 将次 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-331048
公開番号（公開出願番号）：特開2009-152498
出願日： 2007年12月21日
公開日（公表日）： 2009年07月09日
要約：
【課題】メモリセルの駆動電圧及びリーク電流を低減ができ、さらに、カップリング比を向上できる。【解決手段】本発明の例に関わる不揮発性半導体メモリは、半導体基板内の素子分離領域によって分離される素子領域と、前記素子領域上に設けられるゲート絶縁膜2Aと、前記ゲート絶縁膜上に設けられる電荷蓄積層3Aと、電荷蓄積層3A上に設けられる多層絶縁体4Aと、多層絶縁体4A上に設けられるコントロールゲート電極5Aとを具備し、ゲート絶縁膜2Aは、第1トンネル膜21と、第1トンネル膜21よりも誘電率が高い第1高誘電率膜22と、第1トンネル膜21と同一構成の第2トンネル膜22を含み、多層絶縁体4Aは、第1絶縁膜41と、第1絶縁膜41よりも誘電率が高い第2高誘電率膜42と、第1絶縁膜41と同一構成の第2絶縁膜42とを含んでいることを備える。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
半導体基板内の素子分離領域によって分離される素子領域と、 前記素子領域上に設けられるゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に設けられる電荷蓄積層と、 前記電荷蓄積層上に設けられる多層絶縁体と、 前記多層絶縁体上に設けられるコントロールゲート電極とを具備し、 前記ゲート絶縁膜は、 第1トンネル膜と、 前記第1トンネル膜上に形成され、前記第1トンネル膜よりも誘電率が高い第1高誘電率膜と、 前記第1高誘電体膜上に形成され、前記第1トンネル膜と同一構成の第2トンネル膜を含み、 前記多層絶縁体は、 第1絶縁膜と、 前記第1絶縁膜上に形成され、前記第1絶縁膜よりも誘電率が高い第2高誘電率膜と、 前記第2高誘電体膜上に形成され、前記第1絶縁膜と同一構成の第2絶縁膜とを含んでいることを特徴とする不揮発性半導体メモリ。
IPC (4件)：
H01L 21/824 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115
FI (2件)：
H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434
Fターム (60件)：
5F083EP02 ,  5F083EP17 ,  5F083EP22 ,  5F083EP23 ,  5F083EP27 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP43 ,  5F083EP44 ,  5F083EP48 ,  5F083EP49 ,  5F083EP53 ,  5F083EP55 ,  5F083EP56 ,  5F083EP76 ,  5F083ER03 ,  5F083ER09 ,  5F083ER14 ,  5F083ER19 ,  5F083ER22 ,  5F083GA05 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA22 ,  5F083JA03 ,  5F083JA04 ,  5F083JA06 ,  5F083JA12 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083LA21 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083NA06 ,  5F083PR03 ,  5F083PR40 ,  5F101BA26 ,  5F101BA29 ,  5F101BA35 ,  5F101BA36 ,  5F101BA45 ,  5F101BA47 ,  5F101BB02 ,  5F101BB05 ,  5F101BB08 ,  5F101BC02 ,  5F101BC11 ,  5F101BD02 ,  5F101BD10 ,  5F101BD22 ,  5F101BD34 ,  5F101BD35 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF02 ,  5F101BF09 ,  5F101BH14
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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