半導体装置の製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-112189
公開番号（公開出願番号）：特開2007-287856
出願日： 2006年04月14日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：

【課題】制御電極と電荷蓄積層との間に優れた絶縁膜を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板11上に形成された第1の絶縁膜12と、第1の絶縁膜上に形成された電荷蓄積層31と、電荷蓄積層上に形成された第2の絶縁膜30と、第2の絶縁膜上に形成された制御電極25と、を備えた半導体装置の製造方法であって、第2の絶縁膜を形成する工程は、塩素を含まない成膜ガスを用いてシリコンを含有した絶縁膜21を形成する工程と、シリコンを含有した絶縁膜上に、酸素及び金属元素を含有した絶縁膜22を形成する工程とを備える。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層上に形成された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に形成された制御電極と、を備えた半導体装置の製造方法であって、前記第2の絶縁膜を形成する工程は、塩素を含まない成膜ガスを用いてシリコンを含有した絶縁膜を形成する工程と、前記シリコンを含有した絶縁膜上に、酸素及び金属元素を含有した絶縁膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 , H01L 21/824 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (4件)：

H01L21/316 X , H01L21/316 M , H01L29/78 371 , H01L27/10 434

Fターム (47件)：

5F058BA11 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BD01 , 5F058BD02 , 5F058BD03 , 5F058BD04 , 5F058BD06 , 5F058BD10 , 5F058BD15 , 5F058BF03 , 5F058BF04 , 5F058BF23 , 5F058BF24 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BJ04 , 5F083EP04 , 5F083EP18 , 5F083EP23 , 5F083EP53 , 5F083EP56 , 5F083EP57 , 5F083EP76 , 5F083ER21 , 5F083GA06 , 5F083GA22 , 5F083JA02 , 5F083JA03 , 5F083JA04 , 5F083JA12 , 5F083NA01 , 5F083PR15 , 5F083PR21 , 5F083PR40 , 5F101BA26 , 5F101BA29 , 5F101BA36 , 5F101BA45 , 5F101BB05 , 5F101BD02 , 5F101BD34 , 5F101BE07 , 5F101BH02 , 5F101BH06

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-289831 出願人：ローム株式会社

審査官引用 (13件)

フローティングゲート電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-342967 出願人：インフィネオンテクノロジーズアクチェンゲゼルシャフト
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-090640 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
半導体の成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-082985 出願人：東京エレクトロン株式会社, 堀池靖浩

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