特許
J-GLOBAL ID：200903052402955665

酸化物半導体膜のドライエッチング方法

発明者：
張 建六

張 建六 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (3件)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-163464
公開番号（公開出願番号）：特開2007-335505
出願日： 2006年06月13日
公開日（公表日）： 2007年12月27日
要約：
【課題】近年、透明酸化物半導体の開発が活発に行われ、基板上に様々の透明酸化物半導体素子が試作された。そのため、高精度及びクリーンなパターニング方法が望ましい。本発明は基板上に成膜されたIn-Ga-Zn-Oから構成される酸化物半導体膜のドライエッチングの際に不揮発性物質を発生させることなく安定なドライエッチング方法を提供する。【解決手段】基板上に成膜された、In-Ga-Zn-Oから構成される酸化物半導体膜のドライエッチングプロセスにおいて、炭化水素を含むエッチングガスを利用することを特徴とするIn-Ga-Zn-Oから構成される酸化物半導体膜のドライエッチング方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
少なくともInと、Gaと、Znと、を含む酸化物半導体膜のエッチング方法において、炭化水素を含むガス雰囲気中でエッチングすることを特徴とする酸化物半導体膜のドライエッチング方法。
IPC (1件)：
H01L 21/461
FI (1件)：
H01L21/461
Fターム (12件)：
5F004BA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA08 ,  5F004BA14 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DB00 ,  5F004DB30
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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