特許
J-GLOBAL ID：200903052655869021

液晶パネル用基板、液晶パネル、及びそれを用いた電子機器並びに投写型表示装置

発明者：
安川 昌宏

安川 昌宏 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-288929
公開番号（公開出願番号）：特開平11-064891
出願日： 1997年10月21日
公開日（公表日）： 1999年03月05日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置でパシベーション膜として一般的に使用されている減圧CVD法による窒化シリコン膜は、膜厚の10%程度のばらつきが生じるので、これを反射型液晶パネルに用いると、パシベーション膜の膜厚のばらつきによって反射率が大きく変化したり、液晶の屈折率が変動したりするという不具合がある。【解決手段】 基板(1)上に反射電極(14)がマトリックス状に形成されるとともに各反射電極に対応して各々トランジスタが形成され、前記トランジスタを介して前記反射電極に電圧が印加されるように構成された液晶パネル用基板において、パシベーション膜(17)として、膜厚が500〜2000オングストロームの酸化シリコン膜を使用し、入射光の波長に応じて膜厚を適当な値に設定するようにした。
請求項（抜粋）：
基板上に反射電極がマトリックス状に形成されるとともに各反射電極に対応して各々トランジスタが形成され、前記トランジスタを介して前記反射電極に電圧が印加されるように構成された液晶パネル用基板において、前記反射電極の上にはパシベーション膜を形成したことを特徴とする液晶パネル用基板。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/13 505 ,  G02F 1/1333 505 ,  H01L 29/786
FI (4件)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/13 505 ,  G02F 1/1333 505 ,  H01L 29/78 619 A
引用特許：
審査官引用 (14件)
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