特許
J-GLOBAL ID：200903052656386466
窒化物半導体素子の製造方法及びそれにより得られる窒化物半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-153234
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353547
出願日： 2001年05月22日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：
【要約】【課題】 サファイアなどの異種基板の上に、窒化物半導体を積層したウエハにおいて、両者の熱膨張係数などの違いにより、反りが発生し、ウエハの切断を困難にし、また素子端面に、窒化物半導体の劈開面をもうけることが困難であった。【解決手段】 第1の主面と第2の主面とを有する基板10の第1の主面上に、少なくとも窒化物半導体を有する素子構造を積層し、前記基板の第1の主面上に半導体層30が設けられたウエハを分割して窒化物半導体素子チップを形成する時、ウエハにが前記第1の主面が凹面を呈し、前記第2の主面が凸面を呈する反りが形成される場合に、前記半導体層30を貫通しない深さで、基板10の第2の主面側から半導体層30へ伸びる亀裂若しくは割れ41を、少なくとも前記基板内に形成する亀裂形成工程と、窒化物半導体ウエハを押し割り、前記亀裂41が設けられた位置でウエハを分割する分割工程と、を具備してなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1の主面と第2の主面とを有する基板の第1の主面上に、少なくとも窒化物半導体を有する素子構造を積層し、前記基板の第1の主面上に半導体層が設けられたウエハを分割して窒化物半導体素子チップを形成する窒化物半導体素子の製造方法において、前記ウエハには、前記第1の主面が凹面を呈し、前記第2の主面が凸面を呈する反りが形成されており、前記半導体層を貫通しない深さで、基板の第2の主面側から半導体層へ伸びる亀裂若しくは割れを、少なくとも前記基板内に形成する亀裂形成工程と、窒化物半導体ウエハを押し割り、前記亀裂が設けられた位置でウエハを分割する分割工程と、を具備してなることを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。
Fターム (7件)：
5F073AA13
, 5F073BA06
, 5F073CA17
, 5F073CB05
, 5F073DA05
, 5F073DA32
, 5F073DA34
