特許
J-GLOBAL ID：200903013838611451

窒化物半導体レ-ザ素子の製造方法

発明者：
佐野 雅彦

佐野 雅彦 について

, 
杉本 康宣

杉本 康宣 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-098020
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174380
出願日： 1999年04月05日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【目的】ラテラル成長した窒化ガリウムを有する窒化物半導体レーザ素子において、サファイア基板を研磨によって薄くした際の、ウエハの反り、割れ、及び欠けなどの発生を緩和し、容易にウエハをチップ化できると共に、鏡面に近い共振面を得ることができる窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供することである。【構成】異種基板の上にラテラル成長した窒化ガリウム、更にその上に窒化物半導体を成長させた後、その窒化物半導体の一部を異種基板が露出するまでエッチングする(図2斜線部)。また共振面となる面のうち、少なくともレーザ出射側を、窒化ガリウムの劈開により形成する(I-I)。
請求項（抜粋）：
異種基板上に、n型窒化物半導体層と、活性層と、p型窒化物半導体層とを有する窒化物半導体レーザ素子において、少なくともラテラル成長した窒化ガリウムからなる下地層を有し、その上に窒化物半導体層を成長させた後、その窒化物半導体層の一部を異種基板が露出するまでエッチングすることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01S 5/10 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 3/18 640 ,  H01L 33/00 C
Fターム (17件)：
5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041FF01 ,  5F073AA74 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA25 ,  5F073DA32 ,  5F073EA07 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (10件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM