特許
J-GLOBAL ID：200903052768645529
SOI基板の製造方法及びこの方法により製造されたSOI基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-330265
公開番号（公開出願番号）：特開2007-141946
出願日： 2005年11月15日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：
【課題】半導体基板の重ね合せ面への有機物又はパーティクルの付着を抑制し、有機物除去フィルタを設置するよりも安価にボイドの発生が抑制されたSOI基板を作製する。【解決手段】 SOI基板の製造方法は、SOI層となる第1半導体基板11を酸化膜11aを介して第2半導体基板12に重ね合せて積層体13を形成する。重ね合せる前の第1半導体基板11及び第2半導体基板12の洗浄及び重ね合せを行う場所の雰囲気における相対湿度が25°C換算で46〜60%である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
SOI層(11c)となる第1半導体基板(11)に酸化膜(11a)を形成し、この基板(11)に貼合わされ支持基板となる第2半導体基板(12)の前記両基板(11,12)をそれぞれ洗浄し、前記第1半導体基板(11)を酸化膜(11a)を介して前記第2半導体基板(12)に重ね合せて積層体(13)を形成した後に、前記第1半導体基板(11)を薄膜化してSOI層(11c)を形成するSOI基板の製造方法において、
前記第1半導体基板(11)及び前記第2半導体基板(12)の洗浄及び重ね合せを行う場所の雰囲気における相対湿度が25°C換算で46〜60%であることを特徴とするSOI基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (1件)
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特許第3142206号公報(請求項1、段落[0007]、段落[0009]、段落[0011]、段落[0012]、図1)
審査官引用 (6件)
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