特許
J-GLOBAL ID:200903052954952040
高分子電解質構造体への導電性金属パターン形成方法及び当該形成方法を利用して得られたアクチュエーター素子
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
三枝 英二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-270156
公開番号(公開出願番号):特開2005-023402
出願日: 2003年07月01日
公開日(公表日): 2005年01月27日
要約:
【課題】波打つような複雑な駆動が可能なアクチュエーター素子、併せて、このような複雑な駆動を可能とする微細構造素子の作製に適した、容易かつ生産性の高い、高分子電解質構造体への導電性金属パターン形成方法を提供する。 【解決手段】(1)高分子電解質構造体の主要面の全体又は一部に対して導電性金属パターンを形成するに際して、前記高分子電解質構造体の表面をマスクとして作用するフォトレジストによりパターン形成後、高分子電解質構造体表面であってフォトレジストで覆われていない部位にのみ金属を堆積させて導電性金属パターンを形成することを特徴とする、高分子電解質構造体への導電性金属パターン形成方法、並びに、(2)当該導電性金属パターン形成方法により導電性金属パターンが形成された高分子電解質構造体からなるアクチュエーター素子。【選択図】なし
請求項(抜粋):
高分子電解質構造体の主要面の全体又は一部に対して導電性金属パターンを形成するに際して、前記高分子電解質構造体の表面をマスクとして作用するフォトレジストによりパターン形成後、高分子電解質構造体表面であってフォトレジストで覆われていない部位にのみ金属を堆積させて導電性金属パターンを形成することを特徴とする、高分子電解質構造体への導電性金属パターン形成方法。
IPC (5件):
C23C18/16
, C23C18/20
, C23C18/44
, C23C30/00
, G03F7/40
FI (5件):
C23C18/16 A
, C23C18/20
, C23C18/44
, C23C30/00 E
, G03F7/40 521
Fターム (25件):
2H096AA27
, 2H096CA05
, 2H096HA27
, 4K022AA13
, 4K022BA03
, 4K022BA18
, 4K022BA31
, 4K022BA35
, 4K022CA04
, 4K022CA15
, 4K022CA23
, 4K022CA26
, 4K022DA03
, 4K022DB04
, 4K044AA16
, 4K044AB10
, 4K044BA08
, 4K044BB01
, 4K044BB10
, 4K044BC01
, 4K044CA07
, 4K044CA11
, 4K044CA13
, 4K044CA15
, 4K044CA18
引用特許:
出願人引用 (4件)
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特開平4-275078号公報
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高分子アクチュエータの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-039121
出願人:工業技術院長, 財団法人化学技術戦略推進機構
-
誘導体
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-150084
出願人:工業技術院長, 株式会社カネカメディックス
-
アクチュエータ素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-076716
出願人:テルモ株式会社
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審査官引用 (8件)
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