特許
J-GLOBAL ID：200903052967148224

セラミック電子部品の端子電極形成方法

発明者：
佐々木 昭

佐々木 昭 について

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金 慎太郎

金 慎太郎 について

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丸野 哲司

丸野 哲司 について

, 
佐々木 伸一

佐々木 伸一 について


出願人/特許権者：
ティーディーケイ株式会社

ティーディーケイ株式会社 について


代理人 (1件)： 阿部 美次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-311427
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138128
出願日： 1998年10月30日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：
【要約】【課題】 残留カーボンによる焼成阻害及びセラミック素体の寿命劣化を防止する端子電極形成方法を提供する。【解決手段】 セラミック基体の端部に、導電成分と、有機バインダとを含む塗料を塗布する。次に、塗布された塗膜に含まれる有機バインダを除去するための熱処理を行う。次に、還元雰囲気中で還元処理する。次に、中性雰囲気中で熱処理して焼き付ける。
請求項（抜粋）：
セラミック電子部品の端子電極形成方法であって、前記セラミック電子部品は、セラミック基体と、少なくとも1つの端子電極とを含み、前記セラミック基体は内部に埋設された少なくとも1の内部電極を含み、前記端子電極は前記セラミック基体の端部に形成され、前記内部電極と導通し、かつ、外部との接続部分として用いられるものであり、前記セラミック基体の端部に、金属粉を主成分とする導電成分と、有機バインダとを含む塗料を塗布し、塗布された塗膜に含まれる前記有機バインダを除去するための熱処理を行い、還元雰囲気中で前記塗膜中の前記導電成分を還元処理し、中性雰囲気中で熱処理して焼き付ける工程を含む方法。
IPC (4件)：
H01G 4/12 352 ,  H01G 4/12 364 ,  H01G 4/30 311 ,  H01G 13/00 391
FI (4件)：
H01G 4/12 352 ,  H01G 4/12 364 ,  H01G 4/30 311 D ,  H01G 13/00 391 B
Fターム (31件)：
5E001AB03 ,  5E001AC04 ,  5E001AD04 ,  5E001AF02 ,  5E001AF03 ,  5E001AF06 ,  5E001AH01 ,  5E001AH08 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ03 ,  5E082AA01 ,  5E082AB03 ,  5E082BC14 ,  5E082BC38 ,  5E082EE04 ,  5E082EE23 ,  5E082EE35 ,  5E082FG06 ,  5E082FG26 ,  5E082FG46 ,  5E082FG54 ,  5E082GG10 ,  5E082GG11 ,  5E082GG28 ,  5E082JJ03 ,  5E082JJ06 ,  5E082JJ15 ,  5E082JJ23 ,  5E082MM24 ,  5E082PP06 ,  5E082PP10
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (3件)

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