特許
J-GLOBAL ID：200903052982252690

ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

発明者：
竹下 優

竹下 優 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-097432
公開番号（公開出願番号）：特開2009-193041
出願日： 2008年04月03日
公開日（公表日）： 2009年08月27日
要約：
【課題】ダブルパターニングによるレジストパターンの形成において、第二のレジスト組成物として用いることができるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】ポジ型レジスト組成物からなる第一のレジスト膜から形成された第一のレジストパターンが形成された支持体上に、ポジ型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成した後、選択的に露光し、アルカリ現像してレジストパターンを形成する方法において、特定構造の構成単位を有する酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とが、前記第一のレジスト膜を溶解しない有機溶剤(S)に溶解してなる、前記第二のレジスト膜を形成するために用いられるポジ型レジスト組成物。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
支持体上に、ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成する工程と、前記第一のレジスト膜を選択的に露光し、アルカリ現像して第一のレジストパターンを形成する工程と、前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体上に、ポジ型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成する工程と、前記第二のレジスト膜を選択的に露光し、アルカリ現像してレジストパターンを形成する工程とを含むポジ型レジストパターン形成方法において、前記第二のレジスト膜を形成するために用いられるポジ型レジスト組成物であって、 酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とが、有機溶剤(S)に溶解してなり、 前記有機溶剤(S)が、前記第一のレジスト膜を溶解しない有機溶剤であり、 前記樹脂成分(A)が、下記一般式(a0-1)で表される構成単位(a0-1)と、下記一般式(a0-2)で表される構成単位(a0-2)とを有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (5件)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/40 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/28
FI (5件)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/40 511 ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/28
Fターム (51件)：
2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA33 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096DA04 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096EA23 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA05 ,  2H096JA02 ,  2H096JA04 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04R ,  4J100BA22R ,  4J100BC04P ,  4J100BC04S ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC53R ,  4J100BC53S ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100DA39 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM