特許
J-GLOBAL ID:200903098451039704
フォトマスク製造用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 柳井 則子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-351702
公開番号(公開出願番号):特開2006-162797
出願日: 2004年12月03日
公開日(公表日): 2006年06月22日
要約:
【課題】 寸法制御性に優れたフォトマスク製造用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】 アルカリ可溶性の構成単位(a1)と、酸解離性溶解抑制基を有する構成単位(a2)とを有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含有し、前記構成単位(a1)が、(α-メチル)ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位(a11)を有し、前記構成単位(a2)が、下記一般式(II)で表される酸解離性溶解抑制基(II)と、鎖状第3級アルコキシカルボニル基、鎖状第3級アルキル基、および鎖状第3級アルコキシカルボニルアルキル基からなる群から選択される少なくとも1種の酸解離性溶解抑制基(III)とを有するフォトマスク製造用ポジ型レジスト組成物。【化1】【選択図】 なし
請求項(抜粋):
アルカリ可溶性の構成単位(a1)と、酸解離性溶解抑制基を有する構成単位(a2)とを有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含有し、
前記構成単位(a1)が、(α-メチル)ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位(a11)を有し、
前記構成単位(a2)が、下記一般式(II)
IPC (3件):
G03F 7/039
, G03F 7/033
, H01L 21/027
FI (3件):
G03F7/039 601
, G03F7/033
, H01L21/30 502R
Fターム (16件):
2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AB20
, 2H025AC04
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB16
, 2H025CB17
, 2H025CB45
, 2H025CC20
, 2H025FA10
, 2H025FA17
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (14件)
全件表示
前のページに戻る