特許
J-GLOBAL ID：200903052997424684
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-296198
公開番号（公開出願番号）：特開2008-112924
出願日： 2006年10月31日
公開日（公表日）： 2008年05月15日
要約：
【課題】リードフレーム上に配列された複数個の半導体素子を樹脂で封止してなる半導体装置の製造方法において、素子上経路と素子外経路との間の樹脂の流速差による半導体素子間のボイドの発生や、半導体素子間に位置するワイヤの流れを極力防止する。【解決手段】金型500に対し、素子上経路601を流れる樹脂50の流速が素子外経路602を流れる樹脂50の流速に対して同等以上の大きさとなるように、キャビティ503の内面の素子外経路602に対応する部位から突出する突起700を設け、この突起700を備える金型500を用いて樹脂50による封止を行う。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
基板(200)の一面上に複数個の半導体素子(30)が間隔を空けて平面的に配列されたワーク(400)を用意し、
このワーク(400)を樹脂成形用の金型(500)のキャビティ(503)内に設置し、前記キャビティ(503)内に樹脂(50)を注入することにより、前記基板(200)の一面側にて前記複数個の半導体素子(30)を、前記樹脂(50)で封止する樹脂封止工程を備え、
この樹脂封止工程では、前記キャビティ(503)内を流れる前記樹脂(50)の経路として、前記基板(200)の一面上のうち前記半導体素子(30)の直上を前記樹脂(50)が流れる素子上経路(601)と、前記基板(200)の一面上のうち前記半導体素子(30)の存在しない部位のみを前記樹脂(50)が流れる素子外経路(602)とが同一方向に沿って並列に存在する半導体装置の製造方法において、
前記金型(500)に対し、前記素子上経路(601)を流れる前記樹脂(50)の流速が前記素子外経路(602)を流れる前記樹脂(50)の流速に対して同等以上の大きさとなるように、前記キャビティ(503)の内面の前記素子外経路(602)に対応する部位から突出する突起(700)を設け、
この突起(700)を備える前記金型(500)を用いて前記樹脂(50)による封止を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F061AA01
, 5F061BA01
, 5F061CA21
, 5F061DA04
, 5F061FA02
出願人引用 (3件)
審査官引用 (5件)
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