特許
J-GLOBAL ID:200903053050898948
剥離剤組成物
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-152563
公開番号(公開出願番号):特開2007-324357
出願日: 2006年05月31日
公開日(公表日): 2007年12月13日
要約:
【課題】低温短時間の剥離条件下において残渣(例えば、Al、CuおよびTiを含む酸化生成物)を好適に剥離でき、配線(特にAlを含む金属配線)等に対する腐食抑制効果が高く、環境への負荷が小さい剥離剤組成物、及びこれを用いた半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】配線を含む半導体素子の製造過程で用いられる剥離剤組成物であって、有機アミンと、有機ホスホン酸と、直鎖糖アルコールと、水と含み、20°CにおけるpHが9〜13である剥離剤組成物。【選択図】なし
請求項(抜粋):
配線を含む半導体素子の製造過程で用いられる剥離剤組成物であって、
有機アミンと、有機ホスホン酸と、直鎖糖アルコールと、水とを含み、
20°CにおけるpHが9〜13である剥離剤組成物。
IPC (3件):
H01L 21/304
, G03F 7/42
, H01L 21/027
FI (5件):
H01L21/304 647A
, G03F7/42
, H01L21/304 647Z
, H01L21/304 643A
, H01L21/30 572B
Fターム (8件):
2H096AA25
, 2H096BA01
, 2H096BA09
, 2H096HA23
, 2H096LA03
, 2H096LA06
, 5F046MA02
, 5F046MA17
引用特許:
出願人引用 (3件)
-
レジスト除去用洗浄液および半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-174816
出願人:株式会社ルネサステクノロジ, 松下電器産業株式会社, イーケーシー・テクノロジー株式会社
-
フォトレジストアッシング残さ洗浄剤
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-353360
出願人:株式会社トクヤマ
-
洗浄液
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-227715
出願人:関東化学株式会社, 日本電気株式会社
審査官引用 (3件)
前のページに戻る