特許
J-GLOBAL ID：200903053096029022
窒化物半導体レーザ素子および窒化物半導体レーザ素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
佐野 静夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-150908
公開番号（公開出願番号）：特開2008-273835
出願日： 2008年06月09日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：
【課題】内部の結晶欠陥が低減されるとともに応力の緩和された窒化物半導体レーザ素子に適した窒化物半導体基板を提供する。【解決手段】窒化物半導体22を含む窒化物半導体基板10には、以下の(1)の転位集中領域24、および(2)の低転位領域が含まれている。その上、かかる窒化物半導体基板10の表面は、(0001)面から0.2°〜1°の範囲のオフ角度を有している。(1)ストライプ状の高密度の欠陥領域を底とするとともに、その底の両側にファセット面23から成る斜面を形成することでV字型とし、そのファセット面23の斜面を維持させながら成長させることにより、その斜面の下部に結晶欠陥を集中させることで、ストライプ状になり、さらに、種々の状態になっている転位集中領域24。(2)転位集中領域24を除く領域である低転位領域。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
以下の(A1)の窒化物半導体基板の表面上の転位集中領域の位置に、窒化物半導体結晶の成長を抑制する成長抑制膜を有し、
その成長抑制膜が設けられた上記窒化物半導体基板上に窒化物半導体層が積層されるとともに、
リッジストライプ部が、上記成長抑制膜の間に形成される上記窒化物半導体層の上方に
ある窒化物半導体レーザ素子。
(A1)基体を用いて形成される窒化物半導体を含む窒化物半導体基板には、
以下の(1)の転位集中領域、(2)の低転位領域、および(3)の高ルミネセンス
領域が含まれており、
(1)基体にストライプ状のマスクを形成した後、基体を成長させることで、マスク
の直上をストライプ状の高密度の欠陥領域を底とするとともに、その底の両側
を、成長方向に垂直な面以外の面であるファセット面から成る斜面をV字型に
して、成長を持続させることで、そのファセット面の斜面を維持させながら成
長させ、上記斜面の下部に結晶欠陥を集中させてストライプ状で、かつ、基板
の上面から下面に至るまでで一連となりつつ、周囲の領域に対して区別される
境界となり、
さらに、以下の(a)〜(c)のいずれかの状態になっている転位集中領域
(a)多結晶状態
(b)単結晶状態でかつ周囲の低転位領域に対して傾斜している状態
(c)周囲の低転位領域に対して[0001]方向のc軸を反転させて
いる状態
(2)上記転位集中領域を除く領域である低転位領域
(3)上記低転位集中領域の中央には、ファセット面{0001}面が表出して成長
することにより生じるストライプ状で、かつ、発光することで周囲と区別され
る境界となる高ルミネッセンス領域
上記窒化物半導体基板の表面は、(0001)面から0.2°〜1°の範囲のオフ角度を有している窒化物半導体基板。
IPC (4件)：
C30B 29/38
, C30B 25/04
, H01S 5/323
, H01S 5/22
C30B29/38 D
, C30B25/04
, H01S5/323 610
, H01S5/22
4G077AA02
, 4G077AB02
, 4G077BE15
, 4G077DB08
, 4G077EB01
, 4G077ED06
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 5F173AA08
, 5F173AG17
, 5F173AG20
, 5F173AH22
, 5F173AH23
, 5F173AP05
, 5F173AP19
, 5F173AP20
, 5F173AP83
, 5F173AQ12
, 5F173AR82
, 5F173MA05
, 5F173SC05
