特許
J-GLOBAL ID：200903053211630088
保護素子を有する半導体発光装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-268792
公開番号（公開出願番号）：特開2006-086300
出願日： 2004年09月15日
公開日（公表日）： 2006年03月30日
要約：
【課題】 半導体発光素子の過電圧保護を容易に達成することができなかった。【解決手段】 p型半導体層13、活性層14、n型半導体層15を含む発光用半導体領域1の一方の主面17に第1の電極2を配置する。発光用半導体領域1の他方の主面18に導電性を有する光反射層3を配置する。光反射層3に貼合せ金属層6を介して保護素子用の半導体基板5を貼合せる。半導体基板5に保護素子としてのツェナーダイオードを構成するためのn型半導体領域21とp型半導体領域22とを設ける。導体9によってツェナーダイオードを発光素子に並列接続する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一方の主面とこの一方の主面と反対側の他方の主面とを有し且つ前記一方の主面側に配置された第1導電型半導体層と前記他方の主面側に配置された第2導電型半導体層とを含んでいる発光用半導体領域と、
前記第1導電型半導体層に電気的に接続された第1の電極と、
前記発光用半導体領域の他方の主面に電気的及び機械的に結合された導体層と、
前記導体層に接続された第2の電極と、
前記発光用半導体領域を保護する機能を有し且つ前記導体層に電気的及び機械的に結合されている保護素子と
から成る保護素子を有する半導体発光装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
5F041AA23
, 5F041BB13
, 5F041BB22
, 5F041BB24
, 5F041BB25
, 5F041CA04
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA86
, 5F041CB15
, 5F041CB33
出願人引用 (1件)
-
半導体発光装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-012476
出願人：松下電子工業株式会社
審査官引用 (6件)
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