半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 竹内祐二 , 今江克実 , 原田智雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-299611
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072228
出願日： 2003年08月25日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：

【課題】化学機械研磨によって層間絶縁膜上に生じた銅残渣が起因となる信頼性の低下を防止した半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1上に層間絶縁膜2を形成した後、第1のCu拡散バリア絶縁膜3を形成する。ここに配線溝4と接続孔5を設けて、バリアメタル層6を形成する。そこにCu層7を形成して第1の化学機械研磨によってCu層7表面を除去し、さらに第2の化学機械研磨によってバリアメタル層表面6aを除去する。この上に第2のCu拡散バリア絶縁膜8を設けて、銅残渣7aを第1および第2のCu拡散バリア絶縁膜3,8で挟み込んだ構造にする。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に設けられた溝と、前記溝に埋め込まれた金属からなる配線とを有する半導体装置であって、前記溝が設けられた部分以外の前記層間絶縁膜上には第1の金属拡散バリア絶縁膜が形成されており、前記第1の金属拡散バリア絶縁膜および前記配線の上には第2の金属拡散バリア絶縁膜が形成されている、半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/3205 , H01L21/768

FI (3件)：

H01L21/88 K , H01L21/90 A , H01L21/90 C

Fターム (36件)：

5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH14 , 5F033HH15 , 5F033JJ01 , 5F033JJ09 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ14 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033KK01 , 5F033KK07 , 5F033LL02 , 5F033LL04 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033PP28 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ19 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033SS11 , 5F033XX28 , 5F033XX31

引用特許：

出願人引用 (1件)

スピン処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-212157 出願人：芝浦メカトロニクス株式会社

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-131941 出願人：株式会社日立製作所
ビア又はデュアルダマシン構造の側壁の銅汚染を防止する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-234284 出願人：チャータード・セミコンダクター・マニュファクチャリング・リミテッド
化学・機械的研磨(CMP)中における銅のディッシングを防止するための局部領域合金化
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-112078 出願人：アギアシステムズガーディアンコーポレーション

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