特許
J-GLOBAL ID：200903053363164880

GaN系発光ダイオード

発明者：
岡川 広明

岡川 広明 について

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城市 隆秀

城市 隆秀 について

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高野 剛志

高野 剛志 について


出願人/特許権者：
三菱電線工業株式会社

三菱電線工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-000726
公開番号（公開出願番号）：特開2006-237574
出願日： 2006年01月05日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：
【課題】 発光効率の改善されたGaN系発光ダイオードを提供する。 【解決手段】 発光層3に積層して形成されたp型GaN系半導体層5と、その表面に形成されたp型オーミック電極P2と、p型オーミック電極P2に電気的に接続されたp側パッド電極P3と、を備えたGaN系発光ダイオードであって、p型オーミック電極P2は、発光層3で生じる光が通過し得る窓部を有するパターンに形成された部分と、開口部が設けられた部分と、からなり、p側パッド電極P3は、開口部の内側でp型GaN系半導体層5と接するとともに、その外周部がp型オーミック電極P2の上に重なるように形成され、それによって、p側パッド電極P3とp型オーミック電極P2とが重なった領域が、p側パッド電極P3の輪郭線に沿った帯状かつ環状の領域となっている。p側パッド電極P3からp型GaN系半導体層5には直接電流が流れないようにされている。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
GaN系半導体からなる発光層に積層して形成されたp型GaN系半導体層と、該p型GaN系半導体層の表面に形成されたp型オーミック電極と、該p型オーミック電極に電気的に接続されたp側パッド電極と、を備えたGaN系発光ダイオードであって、 前記p型オーミック電極は、前記発光層で生じる光が通過し得る窓部を有するパターンに形成された部分と、開口部が設けられた部分と、からなり、 前記p側パッド電極は、前記開口部の内側で前記p型GaN系半導体層と接するとともに、その外周部が前記p型オーミック電極の上に重なるように形成され、それによって、該p側パッド電極と該p型オーミック電極とが重なった領域が、該p側パッド電極の輪郭線に沿った帯状かつ環状の領域となっており、 前記p側パッド電極と前記p型GaN系半導体層との接触が非オーミック性とされるか、または、前記p側パッド電極が接する前記p型GaN系半導体層の表面が高抵抗化されることにより、前記p側パッド電極から前記p型GaN系半導体層に直接電流が流れないようにされている、GaN系発光ダイオード。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (2件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C
Fターム (11件)：
5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA85 ,  5F041CA87 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F041DA07
引用特許：
出願人引用 (5件)
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