特許
J-GLOBAL ID：200903053492515762

強誘電体膜、強誘電体メモリ、圧電素子、半導体素子及び強誘電体膜の製造方法

発明者：
木島 健

木島 健 について

, 
▲濱▼田 泰彰

▲濱▼田 泰彰 について

, 
名取 栄治

名取 栄治 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 布施 行夫 ,  大渕 美千栄 ,  伊奈 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-007343
公開番号（公開出願番号）：特開2006-182642
出願日： 2006年01月16日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：
【課題】1T1C、2T2C及び単純マトリクス型強誘電体メモリのいずれにも使用可能なヒステリシス特性を持つ強誘電体キャパシタに好適な強誘電体膜を提供する。【解決手段】本発明の強誘電体膜101は、AB1-xNbxO3の一般式で示され、A元素は、少なくともPbからなり、B元素は、Zr、Ti、V、W及びHfのうち、少なくとも一つ以上からなり、0.05≦x<1の範囲でNbを含む酸化物から形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
AB1-xNbxO3の一般式で示され、 A元素は、少なくともPbからなり、 B元素は、Zr、Ti、V、W及びHfのうち、少なくとも一つ以上からなり、 0.05≦x<1の範囲でNbを含む、強誘電体膜。
IPC (10件)：
C04B 35/49 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/12 ,  H01B 17/62 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/10 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/24
FI (12件)：
C04B35/49 D ,  H01B3/00 F ,  H01B3/12 301 ,  H01B3/12 313H ,  H01B17/62 ,  H01L27/10 444B ,  H01L27/10 444C ,  H01L27/10 444Z ,  H01L27/10 481 ,  H01L41/08 J ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/22 A
Fターム (52件)：
4G031AA09 ,  4G031AA10 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA13 ,  4G031AA14 ,  4G031AA18 ,  4G031AA32 ,  4G031BA10 ,  4G031CA01 ,  4G031CA08 ,  4G031GA01 ,  4G031GA10 ,  4G031GA11 ,  4G048AA03 ,  4G048AB02 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  5F083FR01 ,  5F083FR02 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5G303AA01 ,  5G303AB05 ,  5G303BA03 ,  5G303CA01 ,  5G303CB08 ,  5G303CB15 ,  5G303CB21 ,  5G303CB22 ,  5G303CB25 ,  5G303CB26 ,  5G303CB30 ,  5G303CB35 ,  5G303CB36 ,  5G303CB39 ,  5G303CB40 ,  5G303CB41 ,  5G303CB42 ,  5G303DA05 ,  5G333AA03 ,  5G333AB12 ,  5G333CA03 ,  5G333CB15 ,  5G333DA01 ,  5G333DB02 ,  5G333FB13
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM