特許
J-GLOBAL ID：200903053511802891
半導体層の成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-175664
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044123
出願日： 2000年06月12日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】 分子線エピタキシによる高質な窒化物半導体層の成長法を提供する。【解決手段】 分子線エピタキシにより窒化物半導体層を成長させる方法であって、(a)真空チャンバ10内に基板Sを配置する工程と、(b)分子線エピタキシにより基板S上にGaxAl1-xN(0≦x≦1)層を成長させる工程と、(c)GaxAl1-xN層をアニーリングする工程と、(d)100:1以上の真空チャンバ10内のV/III分子比で、分子線エピタキシにより、GaxAl1-xN層上に窒化物半導体層を成長させる工程と、を含み、工程(b)および工程(d)において真空チャンバ10にアンモニアガスを提供する工程を更に含む、方法。
請求項（抜粋）：
分子線エピタキシにより窒化物半導体層を成長させる方法であって、a)真空チャンバ内に基板を配置する工程と、b)分子線エピタキシにより該基板上にGaxAl1-xN(0≦x≦1)層を成長させる工程と、c)該GaxAl1-xN層をアニーリングする工程と、d)100:1以上の該真空チャンバ内のV/III分子比で、分子線エピタキシにより、該GaxAl1-xN層上に窒化物半導体層を成長させる工程と、を含み、該工程(b)および該工程(d)において該真空チャンバにアンモニアガスを供給する工程を更に含む、方法。
IPC (4件)：
H01L 21/203
, C30B 29/38
, H01L 33/00
, H01S 5/323
H01L 21/203 M
, C30B 29/38 Z
, H01L 33/00 C
, H01S 5/323
